EPC2045
EPC
Драйверы и ключи · GaN FET
INN650DA040BS
Innoscience
Драйверы и ключи · GaN FET
EPC2045 ↔ INN650DA040BS
EPC2045 (EPC) ↔ INN650DA040BS (Innoscience) [650V GaN FET]: Отличия: EPC2045 — 100V GaN FET, 7mΩ, BGA package (2.5x1.5mm). INN650DA040BS — 650V GaN FET, 40mΩ typ, DFN-8 (8x8mm). НЕСОВМЕСТИМО по напряжению! EPC2045 для 48V DC-DC, INN650DA040BS для 400V AC-DC/PFC. INN650DA040BS параметры: VDS=650V, ID(cont)=34A, ID(pulse)=68A, Qg~9nC, Qoss~90nC, RθJC~0.8°C/W. Для high-frequency PFC (>100kHz) критичны switching losses — проверить Eon/Eoff при 400V, 16A. VGS(th)=1.7V, recommended drive +6V/-3V.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.