Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
SN74LVC3G14 — аналоги и замены | Microbase
Главная/Прочие/Разное/SN74LVC3G14

SN74LVC3G14

Texas InstrumentsВерифицированоMSOP8/XDFN1.4X1-8

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

SN74LVC3G14

Texas Instruments

Прочие · Разное

CN партномер

RS3G14

Run-IC

Прочие · Разное

ВерифицированоPin-to-PinMSOP8/XDFN1.4X1-8
Функция (3x Schmitt-trigger inverter)питание 1.65-5.5VpinoutSchmitt-trigger inputs

Комментарии об отличиях

SN74LVC3G14 ↔ RS3G14

RS3G14 (Run-IC) ↔ SN74LVC3G14 (TI): Полная функциональная совместимость. Питание 1.65-5.5V, pinout идентичен. Основное отличие — параметры Schmitt trigger: positive threshold Vt+ у RS3G14 ~1.5V @3.3V vs ~1.8V у SN74LVC3G14, negative threshold Vt- ~0.9V vs ~1.0V. Hysteresis различается на ~200mV — у TI больше. Propagation delay ~3.5ns @3.3V у обоих. Output drive ±24mA @3V. Ioff partial power-down поддерживается. ESD HBM ±2000V (Run-IC) vs ±4000V (TI). Для слаботочных приложений с медленными фронтами рекомендуется проверка порогов на макете.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.