SI2301CDS
Vishay
Драйверы и ключи · Малосигнальные MOSFET
SI2301
CJ
Драйверы и ключи · Малосигнальные MOSFET
SI2301CDS ↔ SI2301
SI2301CDS (Vishay): P-CH, VDS=-20В, ID=-3.1А@TC=25°C / -2.5А@TA=25°C, RDS(on)=0.112Ω@VGS=-4.5В, Qg(typ)=3.3нКл, VGS(th)=-0.4…-1.0В, td(on)=6нс, tr=14нс. SI2301 (CJ): P-CH, VDS=-20В, ID=-2.8А, RDS(on)=75-120мОм. Отличия: SI2301CDS имеет гарантированный TrenchFET процесс с Rg=测试 100%%, у CJ — типовые параметры без гарантий switching time. RDS(on) у CJ может быть выше при низких VGS. Для нагрузочных ключей <2А замена работает. При switching >100кГц проверить фронты — параметры tr/tf у CJ могут отличаться.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.