Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
74LVC1G125 — аналоги и замены | Microbase
Главная/Прочие/Разное/74LVC1G125

74LVC1G125

Texas InstrumentsVerifiedSOT23-5/SC70-5/XDFN1X1-6

Аналоги и замены (1)

OEM part number

74LVC1G125

Texas Instruments

Прочие · Разное

CN part number

RS1G125

Run-IC

Прочие · Разное

VerifiedPin-to-PinSOT23-5/SC70-5/XDFN1X1-6
Vcc 1.65-5.5V5V tolerant inputs±24mA driveactive-low OEIoff-40~125°C

Комментарии об отличиях

74LVC1G125 ↔ RS1G125

74LVC1G125 (TI) ↔ RS1G125 (RUNIC) [Bus Buffer, 3-State, Active-Low OE]: Полная pin-to-pin электрическая и функциональная совместимость. Оба устройства имеют active-low output enable (OE=L — output active, OE=H — Hi-Z). Параметры идентичны: Vcc 1.65~5.5V, 5V tolerant inputs, VIH/VIL=0.65xVcc/0.35xVcc, output drive ±24mA @ 3V. Распиновка: pin1=OE, pin2=A, pin3=GND, pin4=Y, pin5=Vcc. RS1G125 имеет преимущества: Icc max 1uA (vs 10uA TI), ESD HBM ±8000V (vs ±2000V TI). tpd @ 3.3V/50pF: RS1G125 typ 4.0ns max 5.3ns, TI 74LVC1G125 typ 3.5ns max 5.0ns — отличие <15%. Нюанс: при использовании XDFN1x1-6L корпуса — убедиться в наличии этого корпуса у RS1G125 (доступен по даташиту). Для гарантии Hi-Z при power-up рекомендуется pull-up на OE к Vcc.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.