GS61008P
GaN Systems
Драйверы и ключи · GaN FET
INN650D150A
Innoscience
Драйверы и ключи · GaN FET
GS61008P ↔ INN650D150A
GS61008P (GaN Systems/Infineon) ↔ INN650D150A (Innoscience) [650V GaN FET]: Отличия: GS61008P — 100V GaN FET, 7mΩ, GaNPX package (7.6x4.6mm), 90A continuous. INN650D150A — 650V GaN FET, 150mΩ (115mΩ typ), DFN-8 (8x8mm), 17A continuous. НЕСОВМЕСТИМО по напряжению и току! GS61008P для 48V DC-DC, INN650D150A для 400V AC-DC. INN650D150A: VGS(th)=1.6V, Qg=3nC, Qoss=28nC, Ciss=110pF, Coss=30pF. Для hard-switching приложений критичны Coss и Qoss — lower Coss = lower switching losses. Тепловое сопротивление RθJC=1.1°C/W.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
