IKW50N60T
Infineon
Драйверы и ключи · IGBT
BYG50T60
BYD Semi
Драйверы и ключи · IGBT
IKW50N60T ↔ BYG50T60
Infineon: Vce(sat)=1.5В (typ), diode VF=1.65В. Qg~350нКл. td(on)=30нс, td(off)=280нс. Ptot=350Вт (est). BYD BYG50T60: проверить cond. losses — при 50А потери Pcond=75Вт (Vce=1.5В). Switching losses @10кГц: ~50-80Вт. Rth(j-c)<0.5К/Вт для 175°C junction temp.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
