LM1117-3.3

LM1117-3.3 ↔ AMS1117-3.3

LM1117-3.3 (TI): fixed LDO, Vout=3.3В ±1% (A-grade) / ±2% (стандарт), dropout 1.10-1.20В@100мА, 1.35-1.50В@800мА (typ 1.15В@1А), PSRR 60-75дБ@120Гц, Iq=5-15мА, current limit 800-1200мА, thermal regulation 0.01%/Вт, SOT-223 (θJA=61.6-136°C/Вт), работа без Cload нестабильна (требует ≥10µФ с ESR 0.3-5Ом). AMS1117-3.3 (UMW): полный pin-to-pin аналог, Vout=3.3В ±1%, dropout ~1.15В@1А, PSRR ~70дБ@120Гц, SOT-223. ОТЛИЧИЯ: (1) Точность выходного напряжения у AMS1117 может иметь больший разброс (±2% vs ±1% у TI A-grade) — для питания цифровых схем (FPGA, MCU) не критично, для прецизионных АЦП требуется проверка; (2) Minimum load current: 1.7-5мА у LM1117 vs ~1-3мА у AMS1117 — при очень легких нагрузках (<1мА) AMS1117 может быть стабильнее; (3) Тепловое сопротивление θJA зависит от производителя корпуса — UMW может использовать другой die attach, проверьте тепловой режим при Iout>500мА (Pdiss=(Vin-3.3)*Iout, при Vin=5В и Iout=800мА: Pdiss=1.36Вт, Tj=TA+136*1.36=TA+185°C — ТРЕБУЕТСЯ heatsink или copper pour!). (4) Stability range: AMS1117 может требовать минимальный ESR 0.5Ом (vs 0.3Ом у TI) — при использовании керамических конденсаторов (>10µФ с низким ESR) добавьте последовательный резистор 0.5-1Ом для гарантированной стабильности.