Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Интерфейсы/LIN transceiver/TLE7250-3GE

TLE7250-3GE

InfineonNeeds adaptationDSO-8

Аналоги и замены (1)

OEM part number

TLE7250-3GE

Infineon

Интерфейсы · LIN transceiver

CN part number

SGM65HVD7250

SGMICRO

Интерфейсы · LIN transceiver

Needs adaptationPartialDSO-8
LIN transceiver3.3V/5V logic20kbpsDSO-8

Комментарии об отличиях

TLE7250-3GE ↔ SGM65HVD7250

TLE7250-3GE (Infineon) [LIN 2.2A, 3.3V/5V logic, 20 kbps, Sleep mode <10uA, Wake-up detection, INH output] ↔ SGM65HVD7250 (SGMICRO) [LIN transceiver]. LIN трансиверы — чувствительны к wake-up timing. Отличия: (1) TLE7250-3GE имеет сложную state machine с 4 режимами: Normal, Stand-by, Sleep, Power-on + INH output; SGM — упрощённые режимы (Normal/Sleep), INH может отсутствовать. (2) Wake-up threshold: Infineon — 0.4*VS (dominant), 0.6*VS (recessive) с hysteresis 0.12*VS; SGM — проверить пороги, могут отличаться на ±10%. (3) Sleep current: Infineon <10uA typical; SGM — 20..50uA. (4) Propagation delay symmetry: Infineon — trx_sym ±1.3us (LIN Spec 2.2A); SGM — ±2us (больше разброс). Критично для LIN 2.x при 20kbps (bit time = 50us). (5) ESD: Infineon ±15kV IEC; SGM ±8kV. (6) Dominant timeout: Infineon 13ms typical; SGM — 15..20ms. Требуется адаптация firmware для wake-up и mode transition.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.