W25Q128JV
Winbond
Память · EEPROM/Flash память
GD25Q128ESIG
GigaDevice
Память · EEPROM/Flash память
W25Q128JV ↔ GD25Q128ESIG
GD25Q128E: 128Mb (16MB) SPI NOR Flash, E-revision. 2.7-3.6В, 133МГц — частота ВЫШЕ чем GD25Q127C (104МГц) и соответствует W25Q128JV (133МГц). Page Program 0.4мс, Sector Erase 40мс, Chip Erase 60s typical. 100K Program/Erase cycles, 20-year retention. Нюансы: (1) GD25Q128E имеет улучшенный DRV (drive strength) control через status register — 100%, 75%, 50%, 25% для согласования impedance линии; (2) Continuous Read mode с Wrap (8/16/32/64-byte) для XiP приложений; (3) дополнительный корпус SOP8 208mil (широкий) для улучшенной routability. JEDEC ID: 0xC8 0x40 0x18. Полная программная совместимость с W25Q128JV.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
