Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Прочие/Разное/74LVC1G125

74LVC1G125

Texas InstrumentsВерифицированоSOT23-5/SC70-5/XDFN1X1-6

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

74LVC1G125

Texas Instruments

Прочие · Разное

CN партномер

RS1G125

Run-IC

Прочие · Разное

ВерифицированоPin-to-PinSOT23-5/SC70-5/XDFN1X1-6
Vcc 1.65-5.5V5V tolerant inputs±24mA driveactive-low OEIoff-40~125°C

Комментарии об отличиях

74LVC1G125 ↔ RS1G125

74LVC1G125 (TI) ↔ RS1G125 (RUNIC) [Bus Buffer, 3-State, Active-Low OE]: Полная pin-to-pin электрическая и функциональная совместимость. Оба устройства имеют active-low output enable (OE=L — output active, OE=H — Hi-Z). Параметры идентичны: Vcc 1.65~5.5V, 5V tolerant inputs, VIH/VIL=0.65xVcc/0.35xVcc, output drive ±24mA @ 3V. Распиновка: pin1=OE, pin2=A, pin3=GND, pin4=Y, pin5=Vcc. RS1G125 имеет преимущества: Icc max 1uA (vs 10uA TI), ESD HBM ±8000V (vs ±2000V TI). tpd @ 3.3V/50pF: RS1G125 typ 4.0ns max 5.3ns, TI 74LVC1G125 typ 3.5ns max 5.0ns — отличие <15%. Нюанс: при использовании XDFN1x1-6L корпуса — убедиться в наличии этого корпуса у RS1G125 (доступен по даташиту). Для гарантии Hi-Z при power-up рекомендуется pull-up на OE к Vcc.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.