Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Интерфейсы/CAN transceiver 5V/SN65HVD253

SN65HVD253

Texas InstrumentsVerifiedSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM part number

SN65HVD253

Texas Instruments

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

CN part number

SGM65HVD253

SGMICRO

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

VerifiedPin-to-PinSOIC-8
CAN 5V 1MbpsISO 11898-2Sleep modeSOIC-8

Комментарии об отличиях

SN65HVD253 ↔ SGM65HVD253

SN65HVD253 (TI) [CAN 5V, Sleep mode 40nA, ±16kV ESD] ↔ SGM65HVD253 (SGMICRO). Отличия: (1) Sleep current: TI — 40nA typ (1uA max); SGM — 100..500nA typ (на 1-2 порядка выше). Критично для battery-powered/automotive sleep mode. (2) Wake-up time: TI 3..5us; SGM 5..10us. (3) ESD: TI ±16kV HBM; SGM ±8kV. (4) TXD dominant timeout: TI — absent; SGM — может присутствовать (проверить), если есть — блокирует передачу >1ms доминантного состояния (некорректно для некоторых протоколов). (5) Input hysteresis: TI 100mV typical; SGM 80..120mV. Прямая замена с проверкой sleep current и wake-up timing.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.