W25Q128JW
Winbond
Память · EEPROM/Flash память
GD25LQ128E
GigaDevice
Память · EEPROM/Flash память
W25Q128JW ↔ GD25LQ128E
GD25LQ128E: 128Mb (16MB) low-voltage SPI NOR Flash. 1.65-2.0В, 133МГц, Dual/Quad SPI. Uniform 4KB sectors. Standby current 10мкА, Deep Power-Down 1мкА. Page Program 0.4мс typical. Ключевое ОТЛИЧИЕ от W25Q128JW: GD предлагает более широкий выбор корпусов включая USON8 3×2мм (0.45мм height) — ультратонкий для wearables. 100,000 Program/Erase cycles, 20-year data retention. Нюанс: некоторые программаторы могут не распознавать JEDEC ID GD25LQ128E (0xC8 0x60 0x18) — убедиться что firmware программатора обновлено. В остальном полная pin-to-pin и command compatibility.
Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.
