Sunme
Поставка электронных компонентов
Прямые поставки от ведущих мировых производителей
Дизайн печатной платы (PCB)
Проектирование печатных плат любой сложности
Разработка ПО
Встраиваемые системы и микропроцессорное ПО
Импортозамещение
Замена зарубежных компонентов на российские аналоги
Аудит поставщиков в КНР
Выездная проверка фабрик и поставщиков в Китае
Комплексные поставки
Полный цикл от компонентов до готового изделия
Обсудить проект →
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENКонсультация
Sunme

Направления

Поставка электронных компонентовДизайн печатной платы (PCB)Разработка ПОИмпортозамещениеАудит поставщиков в КНРКомплексные поставки
О компанииКейсыБаза знанийFAQГлоссарий
ENПереключить язык
Консультация
Sunme

Поставка электронных компонентов и технологических решений для вашего производства

Услуги

  • Поставка компонентов
  • Дизайн печатной платы (PCB)
  • Разработка ПО
  • Импортозамещение
  • Аудит КНР
  • Комплексные поставки

Компания

  • О нас
  • Кейсы
  • База знаний
  • Вакансии
  • Контакты

Поддержка

  • FAQ
  • Глоссарий
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты

Подписка на рассылку

Инженерные материалы, гайды и кейсы раз в две недели

© 2026 Sunme. Все права защищены.

Политика конфиденциальности
← Microbase|Microbase
Главная/Интерфейсы/CAN transceiver 5V/SN65HVD251

SN65HVD251

Texas InstrumentsВерифицированоSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM партномер

SN65HVD251

Texas Instruments

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

CN партномер

SGM65HVD251

SGMICRO

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

ВерифицированоPin-to-PinSOIC-8
CAN 5V 1MbpsISO 11898-2SOIC-8-40..+85°C

Комментарии об отличиях

SN65HVD251 ↔ SGM65HVD251

SN65HVD251 (TI) [CAN 5V, 1 Mbps, ±16kV ESD, tloop 70..120ns] ↔ SGM65HVD251 (SGMICRO) [CAN 5V, 1 Mbps]. Отличия: (1) ESD protection: TI ±16kV HBM на CANH/CANL; SGM — обычно ±8kV HBM. В industrial environment с высоким ESD риском — добавить внешние TVS диоды (SMBJ15CA). (2) Loop delay: TI — 70..120ns typical; SGM — 80..140ns, на верхней границе уменьшает timing margin при 1 Mbps (bit time = 1000ns). (3) Differential output voltage: TI — 1.5..3.0V (Rload=60Ω); SGM — 1.4..3.0V, min slightly lower. (4) Input impedance differential: TI — 40kΩ min; SGM — 30kΩ min (меньшее число узлов на шине). (5) Supply current dominant: TI — 10mA typ; SGM — 12mA typ. (6) Unpowered leakage: TI — <5uA @ VCC=0V; SGM — <10uA. Прямая замена с добавлением TVS для ESD-intensive применений.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.