Sunme
Electronic component supply
Direct supplies from leading global manufacturers
PCB design
Printed circuit board design of any complexity
Software development
Embedded systems and microprocessor software
Import substitution
Replacing foreign components with Russian analogues
Supplier audits in China
On-site factory and supplier verification in China
Integrated supplies
Full cycle from components to finished product
Discuss project →
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUConsultation
Sunme

Directions

Electronic component supplyPCB designSoftware developmentImport substitutionSupplier audits in ChinaIntegrated supplies
AboutCasesKnowledge baseFAQGlossary
RUSwitch language
Consultation
Sunme

Electronic component supply and technology solutions for your manufacturing

Services

  • Component supply
  • PCB design
  • Software development
  • Import substitution
  • China audit
  • Integrated supplies

Company

  • About us
  • Cases
  • Knowledge base
  • Careers
  • Contacts

Support

  • FAQ
  • Glossary
  • Privacy policy
  • Legal details

Subscribe to newsletter

Engineering materials, guides and cases every two weeks

© 2026 Sunme. All rights reserved.

Privacy policy
← Microbase|Microbase
Главная/Интерфейсы/CAN transceiver 5V/SN65HVD251

SN65HVD251

Texas InstrumentsVerifiedSOIC-8

Аналоги и замены (1)

OEM part number

SN65HVD251

Texas Instruments

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

CN part number

SGM65HVD251

SGMICRO

Интерфейсы · CAN transceiver 5V

VerifiedPin-to-PinSOIC-8
CAN 5V 1MbpsISO 11898-2SOIC-8-40..+85°C

Комментарии об отличиях

SN65HVD251 ↔ SGM65HVD251

SN65HVD251 (TI) [CAN 5V, 1 Mbps, ±16kV ESD, tloop 70..120ns] ↔ SGM65HVD251 (SGMICRO) [CAN 5V, 1 Mbps]. Отличия: (1) ESD protection: TI ±16kV HBM на CANH/CANL; SGM — обычно ±8kV HBM. В industrial environment с высоким ESD риском — добавить внешние TVS диоды (SMBJ15CA). (2) Loop delay: TI — 70..120ns typical; SGM — 80..140ns, на верхней границе уменьшает timing margin при 1 Mbps (bit time = 1000ns). (3) Differential output voltage: TI — 1.5..3.0V (Rload=60Ω); SGM — 1.4..3.0V, min slightly lower. (4) Input impedance differential: TI — 40kΩ min; SGM — 30kΩ min (меньшее число узлов на шине). (5) Supply current dominant: TI — 10mA typ; SGM — 12mA typ. (6) Unpowered leakage: TI — <5uA @ VCC=0V; SGM — <10uA. Прямая замена с добавлением TVS для ESD-intensive применений.

Информация предоставлена в справочных целях. Перед внедрением любого аналога обязательно сверьте технические характеристики, температурные режимы и сертификаты безопасности в актуальных даташитах производителей. Ответственность за финальный выбор компонента и его применение несёт инженер.